设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。 PlasmaPro 100 PECVD 由于电极温度均匀性和电极中的喷淋头设计，可提供出色的保形沉积和低颗粒生成，允许射频能量产生等离子体。等离子体的高能反应性物质提供高沉积速率，以达到所需的基板厚度，同时保持低压。其双频 13.56MHz 和 100KHz 功率应

该ICPCVD工艺模块设计用于在低生长温度下生产高质量的薄膜，通过高密度远程等离子体实现，从而实现优秀的薄膜质量，同时减少基板损伤。

Beneq C2R 将等离子体增强原子层沉积 （PEALD） 工艺提升到一个全新的水平 – PEALD 可用于大批量生产。由于采用等离子体增强旋转原子层沉积工艺，Beneq C2R 是厚原子层沉积膜的理想选择，甚至可达几微米。

用于电池、太阳能和柔性电子产品的功能性原子层沉积涂层，是涂布任何卷筒格式基材以及多种功能应用的理想选择。各种类型锂离子和固态电池的阴极和阳极的钝化，用于柔性太阳能电池的导电层和封装，用于柔性电子产品的防潮层。

详细介绍 Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD），通过平行电容板电场放电产生等离子体，可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合SEMI的设计标准，并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。

Shale® C系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备（ICP-CVD），通过电感耦合（ICP）产生高密度等离子体，并通过电容耦合（CCP）产生偏压，可实现低温、高致密、低损伤、优填充能力的薄膜沉积工艺。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合SEMI的设计标准，并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。