详细介绍
1. 产品概述
FLOURIS 201系列 8英寸立式炉,高精度温度场控制技术,可实现 1200℃ 内氧化退火工艺。
2. 设备用途/原理
FLOURIS 201系列 8英寸立式炉,高精度温度场控制技术,可实现 1200℃ 内氧化退火工艺,优良的颗粒控制技术,优良的膜厚均匀性控制技术,图形化操作界面和群组管理系统。
3. 设备特点
晶圆尺寸 8 英寸,适用材料 硅、碳化硅。适用工艺 高温氧化、退火、常压合金、Polyimide 固化。适用域 科研、化合物半导体、集成电路。百科:半导体立式炉的原理主要涉及到半导体材料的热处理过程,这一过程在半导体制造中至关重要。立式炉的设计允许对半导体材料进行精确的温度控制和气氛管理,从而促进材料的特定化学反应,如外延生长等。
产品咨询