SENTECH SI 500 ICP-RIE等离子体蚀刻系统使用具有低离子能量的电感耦合等离子体 （ICP） 源，可实现低损伤蚀刻和纳米结构。

SI 500 C 代表了专为低温蚀刻而设计的电感耦合等离子体 （ICP） 处理的前沿。SENTECH SI 500 C 低温 ICP-RIE 等离子体蚀刻系统代表了电感耦合等离子体 （ICP） 处理的前沿技术，其最宽温度范围为 -150 °C 至 150 °C。 该工具包括 ICP 等离子体源 PTSA、一个动态温控基板电极、一个受控的真空系统和一个非常易于操作的用户界面。灵活性和模块化是

PlasmaPro 100 Nano 用于生长1D / 2D纳米材料和异质结构的CVD / PECVD工具。 PlasmaPro 100 Nano通过在线催化剂活化和严格的工艺控制，实现纳米材料的高性能生长。

离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量，致密和表面光滑的沉积薄膜。离子束技术提供了一种多样的刻蚀和沉积的方法，并可在同一设备上实现， 因而提高系统的利用率。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统规格与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。

ALE是一种先进的刻蚀技术，可以针对较浅的微结构进行出色的深度控制。 随着器件微结构尺寸越来越小，要达到器件的更高性能可以通过ALE技术所具有的精度来实现。 在如今的先进微电子器件制造中，高保真度的图案转移（刻蚀）是至关重要的。随着特征尺寸缩小至亚10纳米级别，以及新型器件采用超薄的二维材料，对原子尺度保真度的需求不断增加。 原子层刻蚀(ALE)技术克服了传统（连续）刻蚀技术在原子尺度上的局限

织雀™PL-3D Premium 是托托科技自主研发的高精密微3D光刻设备， 最高光学分辨率可达1μm，支持最大50 mm×50 mm×50 mm的加工尺寸，设备还支持对准套刻功能，可在已有结构表面进行多材料的驳接打印，在复杂三维微纳结构、高深宽比微纳结构以及复合材料三维微纳结构制造方面具有突出的潜能和优势，而且还具有制造周期短、打印成本低、成型精度高、可使用材料种类多、无需模具直接成型的优点