化合物半导体沉积系统AIX 2800G4-TM （IC2）“基于 GaAs/InP 的光电子学和射频应用的 HVM 最佳反应器”

金属有机源气相沉积系统MOCVD主要由真空室反应系统、气体（载气与气相有机源）输运控制系统、有机源蒸发输运控制系统、电源控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成。 MOCVD系统作为化合物半导体、超导等薄膜材料研究和生产的手段，特别是作为工业化生产的设备，有着其它半导体设备无法替代的优点。它的高质量、稳定性、重复性及多功能性越来越为人们所重视。

产品概述： 高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统主要由真空反应室、上盖组件、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。 设备用途： 高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积PECVD就是化学气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。

高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统主要由3个真空沉积室（分别沉积P、I、N结）、1个进样室、1个中央传输室、平板式电极、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。

产品概述： 系统主要由3个真空沉积室（分别沉积P、I、N结）、1个进样室、1个中央传输室、平板式电极、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。 设备用途： 团簇型等离子体化学气相沉积设备（PECVD），采用等离子体增强化学气相沉积技术，在光学玻璃、硅片、石英、不锈钢片等不同衬底材料上，沉积氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧

高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统主要由真空反应室、上盖组件、喷淋头装置、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。 本系统具有PECVD功能和热丝CVD功能。 设备用途： PECVD即是化学气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。