ACS300 Gen2 涂布机和显影剂 用于晶圆级封装的生产旋涂/开发集群 ACS300 Gen2 是一个模块化集群系统,旨在满足制造商对 200 和 300 毫米晶圆的清洁、可靠、高吞吐量和模块化光刻处理的需求。
详细介绍 Seehund® A型气相分解金属沾污收集设备(VPD)是专为集成电路制造、大晶圆生产及再生、先导工艺研发等行业提供金属沾污控制方案的产品。由于目前的晶圆制造产业对金属沾污控制的要求已经远远低于TXRF和ICP-MS能够测量的极限,需要采用VPD对晶圆表面沾污做富集,才能突破检测灵敏度极限,满足晶圆产线的需求。该设备采用了12英寸及8英寸产线设备所通用的国际标准零部件,符合SEMI的设计
详细介绍 Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD),通过平行电容板电场放电产生等离子体,可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件,符合SEMI的设计标准,并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。
Shale® C系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备(ICP-CVD),通过电感耦合(ICP)产生高密度等离子体,并通过电容耦合(CCP)产生偏压,可实现低温、高致密、低损伤、优填充能力的薄膜沉积工艺。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件,符合SEMI的设计标准,并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。
详细介绍 CCP腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中,等离子体中会包含大量的活性粒子,与表面原子产生化学反应,生成可挥发产物后,随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 Haasrode® Avior® A 在性价比和空间利用率上优点突出,可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。
Pishow® D 系列深刻蚀设备,是针对8英寸~6英寸产线或科研深硅刻蚀工艺的专用设备,拥有自主开发的优化设计,保证了优异的刻蚀精度控制和损伤控制。 提供Si Bosch工艺的解决方案。 该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率,可帮助不同客户实现产能升级。